Nilalaman
- Kahulugan - Ano ang ibig sabihin ng Synchronous DRAM (SDRAM)?
- Isang Panimula sa Microsoft Azure at ang Microsoft Cloud | Sa buong gabay na ito, malalaman mo kung ano ang lahat ng cloud computing at kung paano makakatulong ang Microsoft Azure sa iyo upang lumipat at patakbuhin ang iyong negosyo mula sa ulap.
- Ipinapaliwanag ng Techopedia ang Synchronous DRAM (SDRAM)
Kahulugan - Ano ang ibig sabihin ng Synchronous DRAM (SDRAM)?
Ang naka-sync na dynamic na random na memorya ng pag-access (SDRAM) ay pabago-bagong random na memorya ng pag-access (DRAM) na may isang interface na kasabay ng system bus na nagdala ng data sa pagitan ng CPU at ang memory Controller hub. Ang SDRAM ay may mabilis na pagtugon sa magkakasabay na interface, na naka-sync kasama ang system bus. Naghihintay ang SDRAM para sa signal ng orasan bago ito tumugon upang makontrol ang mga input.
Pauna ang SDRAM ng dobleng rate ng data (DDR). Ang mas bagong interface ng DRAM ay may isang dobleng rate ng paglilipat ng data gamit ang parehong pagbagsak at pagtaas ng mga gilid ng signal ng orasan. Ito ay tinatawag na dual-pumped, double pumped o double transition. Mayroong tatlong makabuluhang katangian na nagkakaiba-iba ng SDRAM at DDR:
- Ang pangunahing pagkakaiba ay ang dami ng data na ipinadala sa bawat pag-ikot, hindi ang bilis.
- Ang mga signal ng SDRAM isang beses sa bawat ikot ng orasan. Ang DDR ay naglilipat ng data ng dalawang beses sa bawat ikot ng orasan. (Parehong SDRAM at DDR ay gumagamit ng parehong mga dalas.)
- Gumagamit ang SDRAM ng isang gilid ng orasan. Ginagamit ng DDR ang parehong mga gilid ng orasan.
Ang SDRAM ay mayroong 64-bit module na may mahabang 168-pin dual inline na mga module ng memorya (DIMMs). Ang oras ng pag-access sa SDRAM ay 6 hanggang 12 nanosecond (ns). Ang SDRAM ay ang kapalit para sa dinamikong random na memorya ng pag-access (DRAM) at EDO RAM. Ang DRAM ay isang uri ng random na memorya ng pag-access (RAM) na mayroong bawat kaunting data sa isang nakahiwalay na sangkap sa loob ng isang integrated circuit. Ang mas lumang EDO RAM ay ginanap sa 66 MHz.
Isang Panimula sa Microsoft Azure at ang Microsoft Cloud | Sa buong gabay na ito, malalaman mo kung ano ang lahat ng cloud computing at kung paano makakatulong ang Microsoft Azure sa iyo upang lumipat at patakbuhin ang iyong negosyo mula sa ulap.
Ipinapaliwanag ng Techopedia ang Synchronous DRAM (SDRAM)
Sa mas matandang mga circuit na naka-clock, ang rate ng paglipat ay isa bawat buong ikot ng signal ng orasan. Ang siklo na ito ay tinatawag na pagtaas at pagkahulog. Ang isang signal ng orasan ay nagbabago ng dalawang beses bawat paglipat, ngunit nagbabago ang mga linya ng data nang hindi hihigit sa isang oras bawat paglipat. Ang paghihigpit na ito ay maaaring maging sanhi ng integridad (data korapsyon at mga error sa panahon ng paghahatid) kapag ginamit ang mataas na bandwidth. Ang SDRAM ay naghahatid ng mga signal minsan sa bawat cycle ng orasan. Ang mas bagong DDR ay naghahatid ng dalawang beses sa bawat ikot ng orasan.
Ang SDRAM ay napabuti ang DRAM na may isang magkasabay na interface na naghihintay ng isang pulso ng orasan bago ito tumugon sa data input. Gumagamit ang SDRAM ng isang tampok na tinatawag na pipelining, na tumatanggap ng mga bagong data bago matapos ang pagproseso ng nakaraang data. Ang isang pagkaantala sa pagproseso ng data ay tinatawag na latency.
Ang teknolohiya ng DRAM ay ginamit mula pa noong 1970. Noong 1993, ang SDRAM ay ipinatupad ng Samsung na may modelo na KM48SL2000 na kasabay na DRAM. Sa pamamagitan ng 2000, ang DRAM ay pinalitan ng SDRAM. Sa simula ang SDRAM ay mas mabagal kaysa sa pagsabog sa EDO DRAM dahil sa sobrang mga tampok na lohika. Ngunit ang mga benepisyo ng SDRAM ay pinapayagan ang higit sa isang hanay ng memorya, na tumaas ang kahusayan ng bandwidth.
Sa pagpapakilala ng DDR, mabilis na sinimulan ng SDRAM na mawalan ng gamit dahil ang DDR ay mas mura at mas epektibo ang gastos. Gumamit ang SDRAM ng 168-pin habang ang module ng DDR ay gumagamit ng isang 184-pin. Ang mga module ng SDRAM ay gumagamit ng boltahe ng 3.3V at DDR na ginamit ng 2.6V, na gumagawa ng mas kaunting init.